據報道，三星已支出約2000億韓元，準備開始生產碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導體，用于電源管理IC，而且計劃采用8英寸晶圓來生產這類芯片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6英寸晶圓。
一位知情人士表示，“我了解到三星電子決定推動一項計劃，將用于SiC和GaN開發的LED工藝中使用的部分8英寸設備混合使用，以提高開發效率。”
SiC和GaN被認為是下一代功率半導體材料。與傳統的硅相比，它具有出色的耐高溫和高電壓耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以電動汽車為代表的汽車市場對它的需求不斷增加。由于開關速度快，GaN被評價為更適合高頻環境下的無線通信。
三星2023年初成立功率半導體工作小組，為制造SiC和GaN半導體的第一步。小組除了三星半導體員工，LED團隊和三星高級技術學院（SAIT）也有參與。三星規劃用8英寸晶圓制造GaN和SiC半導體，直接跳過多數功率半導體商用6英寸晶圓切入階段。
Micro LED也會用8英寸晶圓生產，代表三星高級技術學院使三星Micro LED生產擁有GaN相關技術。
三星生產8英寸晶圓的SiC和GaN產品引起了廣泛關注。目前，SiC產品仍主要使用4/6英寸晶圓生產，而GaN產品則逐漸采用8英寸晶圓生產。三星的發言人表示，他們的SiC半導體業務目前仍處于“研究階段”，尚未做出任何決定。