三星電子是全球領先的芯片制造企業之一,目前正在加強其在芯片代工領域的競爭力。最近,該公司發布了明確的路線圖,計劃在未來幾年內奪取更多的市場份額。
三星電子近日在美國加州硅谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”,發布瞄準人工智能時代的最尖端晶圓代工流程路線圖。
代工事業部社長崔世榮表示,眾多合作企業正積極開發生成式AI專用半導體,三星電子也為滿足AI市場的需求和技術趨勢,將對新型全環繞柵極晶體管技術(GAA·Gate All Around)進行升級,推動AI技術革新。崔世榮強調,將與合作伙伴協同持續研發半導體尖端技術,使晶片等半導體技術更加多樣化,加速“后摩爾時代”的到來。
三星電子去年6月實現基于全環繞柵極(GAA)技術的3納米工藝半導體產品量產。該公司此前已公布將于2025年起量產基于GAA技術的2納米工藝半導體,當天則提出了具體時間表,即自2025年起以移動終端為中心,到2026年將2納米工藝適用于高性能計算機集群(HPC),并于2027年將其用途擴至車用芯片。
與此同時,該公司還決定從2025年起提供人工智能技術所需的高性能低電耗氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓代工服務。為此,公司將同相關企業構建先進封裝協商機制“MDI(Multi Die Integration)同盟”。
三星電子介紹,通過這些措施,公司力爭在2027年將半導體生產能力提升至2021年的7.3倍。