三星電子日前表示,計劃開始提供HBM3E樣品,正在開發HBM4,目標2025年供貨。據韓媒,三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示,計劃開始提供HBM3E樣品,正在開發HBM4,目標2025年供貨。
他透露,三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF(非導電粘合膜)組裝技術和HCB(混合鍵合)技術,以應用于該產品。
此外,三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務,公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊,以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。
行業機構預測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。與傳統DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢,可以加快AI數據處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計算場景,因而備受青睞,存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。
雖然HBM4技術將有重大突破,但它的推出時間并不會很快,因此討論其應用和普及還為時過早。業內人士指出,當前HBM市場主要以HBM2e為主,未來HBM3和HBM3e將成為主流。
據悉,HBM芯片是一種高帶寬內存芯片,被廣泛應用于高性能計算、數據中心、人工智能等領域。HBM芯片采用3D堆疊工藝,將多個DRAM芯片堆疊在一起,以實現更高的內存帶寬和容量,同時減小了芯片面積,降低了功耗和成本。
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