為了支持未來業務增長,韓國晶圓代工廠東部高科正在加大在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體領域的研發力度。最近的投資旨在提高其8英寸晶圓的制造能力。
由于市場復蘇緩慢,該代工廠的8英寸晶圓廠運營預計將受到影響,而轉向12英寸晶圓廠運營的問題仍然存在。在這種情況下,東部高科未來的發展將集中在GaN和SiC等新型功率半導體上。
與硅 (Si) 半導體相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 基功率半導體具有更快的功率轉換效率和卓越的耐用性。
東部高科成立于 1997 年,也稱為DB HiTek。為全球無晶圓廠客戶設計的微控制器單元(MCU)、顯示驅動芯片(DDI)和圖像傳感器(CIS)等半導體。特別是主要生產Si DDI、MCU、CIS。
今年5月份左右,該公司成功分拆芯片設計部門,成為純晶圓代工廠。DB全球芯片計劃將無廠業務從液晶顯示器(LCD)DDI擴展到有機發光二極管(OLED)和Mini LED DDI,總部位于京畿道城南板橋。DB HITECH將成為純半導體委托生產(代工)企業。
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