盡管近期促銷期間大多數終端產品銷售平平,但在三星、SK海力士和美光三大原廠大幅減產和控制產量的情況下,存儲芯片現貨價格仍然呈上漲趨勢。其中,由于虧損情況更為嚴重,NAND存儲芯片的漲幅更加明顯。
據悉,存儲芯片大廠實施減產保價策略的效果十分顯著,Q4合約價報價優于市場預期。其中,DDR5存儲芯片的上漲幅度為15%至20%,DDR4存儲芯片的上漲幅度為10%至15%,DDR3存儲芯片的上漲幅度為10%,而原本預估的上漲幅度僅為5%至10%。同時,NAND存儲芯片的平均漲幅至少為20%至25%,漲幅明顯更高。
另外,三星對DRAM正常報價,但在NAND部分則暫停報價,同時也不出貨,最新報價仍待觀察。
依據InSpectrum最新報價顯示,在DRAM現貨報價方面,4Gb和8GbDDR4近一周報價持平,近一月報價分別上漲3.03%和上漲1.97%。
在NANDFlash現貨價方面,256Gb和512GbTLCFlash周報價,分別為持平和上漲4.12%,月報價分別漲15.25%和上漲27.78%。
在合約價方面,集邦預估,第四季DRAM報價季增3~8%,優于第三季的0~5%跌幅;第四季NAND報價季增8~13%,也遠優于第三季的5~10%跌幅。
存儲模組廠商透露,目前原廠對四季度Flash(閃存)供應主打“拖延戰術”,原先(模組廠)曾在9月試圖敲定數百萬顆訂單,但原廠遲遲不愿放貨,就算愿意給貨,數量及價格都無法達到滿意的目標。雖然終端市場需求已進入淡季,但Flash現貨市場行情卻處于上游熱、下游冷的特殊狀態,加速Flash晶圓各產品全面調漲。盡管短期通路市場庫存積壓,NANDFlash晶圓漲勢不減反增,主流512Gb現貨價單月調漲約2成,站上2.6美元。
據稱,三星在第四季DRAM減產幅度達30%,SK海力士及美光減產幅度達20%,原廠對NAND的減產幅度更高,預計三大供應商減產將持續至2024年中,且資本支出和產出,將聚焦于利潤較佳產品,如高頻寬記憶體(HBM)和DDR5。
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