近日，尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機“NSR-S636E”，生產效率、套刻精度都會有進一步提升。據悉，尼康這款曝光機采用增強型iAS設計，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。
分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。
對比當前型號，它的整體生產效率可提高10-15%，創下尼康光刻設備的新高，每小時可生產280片晶圓，停機時間也更短。尼康還表示，在不犧牲生產效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導體制造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和內存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體制造，堪稱最佳解決方案。
另據了解，新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的“i-line”，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30%左右。
除了價格方面的優勢，尼康的ArF浸沒式光刻機還具有優秀的可靠性和可維護性。該設備采用了先進的機械系統和電子控制系統，確保了其長期穩定運行。此外，尼康還提供了全面的售后服務和技術支持，幫助客戶解決各種使用過程中可能出現的問題。
目前尚不清楚尼康這款光刻機能制造多少納米的芯片。許多芯片制造商表示，他們期待尼康的這款新設備能夠進一步提升他們的制造效率和產能，以滿足日益增長的市場需求。同時，也有一些專家指出，尼康的這款新設備將為全球半導體制造行業帶來新的技術標桿，推動整個行業的技術進步和發展。
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