近日,臺積電在美國舉辦了“2024年臺積電北美技術論壇”,披露其最新的制程技術、先進封裝技術、以及三維集成電路(3D IC)技術,憑借此領先的半導體技術來驅動下一代人工智能(AI)的創新。
據了解,臺積電在此次的北美技術論壇中,首度公開了臺積電A16(1.6nm)技術,結合領先的納米片晶體管及創新的背面供電(backside power rail)解決方案以大幅提升邏輯密度及性能,預計于2026年量產。
臺積電還推出系統級晶圓(TSMC-SoWTM)技術,此創新解決方案帶來革命性的晶圓級性能優勢,滿足超大規模數據中心未來對AI的要求。
據介紹,A16將結合臺積電的超級電軌構架與納米片晶體管,預計于2026年量產。
超級電軌技術可以將供電網絡移到晶圓背面,為晶圓正面騰出更多空間,從而提升邏輯密度和性能,讓A16適用于具有復雜信號布線及密集供電網絡的高效能運算(HPC)產品。
臺積電表示,相較于N2P制程,A16在相同Vdd(工作電壓)下,速度增快8-10%,在相同速度下,功耗降低15-20%,芯片密度提升高達1.10倍,以支持數據中心產品。
除了A16外,臺積電還宣布將推出N4C技術,N4C延續了N4P技術,晶粒成本降低高達8.5%且采用門檻低,預計于2025年量產。
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