SK海力士HBM負責人Kim Gwi-wook表示,當前業界HBM技術已經到了新的水平,行業需求促使SK海力士將加速開發過程,最早在2026年推出HBM4E內存,相關內存帶寬將是HBM4的1.4倍。
除了 HBM4E 外,有消息稱 SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產品,而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
目前的主流 HBM3E 產品均采用 24Gb DRAM 顆粒,這使得 HBM3E 內存可在 8 層堆疊下達到 24GB 單堆棧容量,如果采用 12 層堆疊,那 HBM3E 堆棧就可達到 36GB。
未來的 HBM4E 內存更新到 32Gb DRAM 裸片后,12 層堆疊版本就能實現 48GB 單顆容量,16 層版本更是可達到 64GB 的超大規模,為 AI 用例創造更多可能。
Kim Kwi Wook 預計,HBM4E 內存可較 HBM4 在帶寬上提升 40%、密度提升 30%,同時能效也提高 30%。
HBM4 / HBM4E 的開發“加速過程”無疑顯示了 AI 領域巨頭對高性能內存的強勁需求,日益強大的 AI 處理器需要更高內存帶寬的輔助。
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