三星電子代表在韓國“AI-PIM 研討會”上表示,正按計劃逐步推進eMRAM內存的制程升級,目前8nm eMRAM的技術開發已基本完成。作為一種新型內存,MRAM基于磁性原理,具有非易失性,不需要同DRAM內存一樣不斷刷新數據,更為節能高效;同時MRAM的寫入速度又是NAND的1000倍,支持對寫入速率要求更高的應用。
▲ eMRAM 存儲原理
eMRAM 即面向嵌入式領域的 MRAM。三星電子目前具有 28nm eMRAM 的生產能力,已在向智能手表等終端產品供貨。
據悉,三星電子當時表示計劃在 2024 年量產 14nm eMRAM;2026 年量產 8nm 的 eMRAM;到 2027 年將更進一步,實現 5nm 制程 eMRAM 量產。
目前三星電子已完成 14nm eMRAM 的開發,8nm eMRAM 開發也基本完成,仍計劃 2027 年推出 5nm eMRAM。
三星電子認為未來車用領域對 eMRAM 的需求將持續增長,其產品目前耐溫能力已達 150~160℃,足以滿足汽車行業對半導體的嚴苛要求。
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