第三代半導體包括碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)，整體產值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設備系統效率。據TrendForce集邦咨詢研究統計，隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。
該機構表示，SiC功率元件的前兩大應用為電動汽車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率元件市場產值約67.4%和13.1%。車用方面，安森美與大眾汽車（VM）簽屬戰略協議，為VM提供EliteSiC 1200V主逆變器功率模塊，另外該系列產品亦被起亞汽車（Kia Corporation）選中，用于EV6 GT車款；而Wolfspeed與奔馳（Benz）深化合作關系，提供其電動汽車所需的SiC功率元件。再生能源方面，安森美也與Ampt合作，提供太陽能與儲能系統優化器所需的SiC MOSFET；而英飛凌的CoolSiC已導入臺廠臺達電（Delta）的雙向逆變器中，應用于太陽能發電、儲能、電動汽車充電三合一系統，另外也助力布魯姆能源（Bloom Energy）的燃料電池和電解系統效率提升。
據悉，襯底成本在碳化硅功率器件中占比達49%，也是決定元件質量的關鍵，目前Wolfspeed的碳化硅襯底市場占有率超過60%，最受市場重視。全球半導體廠商對于8英寸碳化硅襯底的關注度也在不斷提升，在Wolfspeed率先推出的8英寸碳化硅襯底的帶領下，其他供應商將陸續跟上，并積極開展供應鏈上下游合作。
此外，TrendForce集邦咨詢還預期，至2026年SiC功率元件市場產值可望達53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元、CAGR約38%；再生能源達4.1億美元、CAGR約19%。