據外媒報道,三星將從2023年上半年開始大規模量產第三代4nm芯片,以奪回部分失去的客戶。報道指出,三星電子4納米在發展之初良率不穩,如今在性能、功耗及面積上較最初的工藝均有進步。
據三星電子12日發布的業務報告,三星電子將在今年上半年開始量產4納米2.3代制芯晶片,這是三星首度明確提到4納米后續版本的量產時間。
與 4 納米芯片的早期版本 SF4E 相比,第二代和第三代產品表現出了更好的性能,而且還帶來了更低的功耗和更小的面積。不過,三星電子在 SF4E 芯片實現商用之后在芯片產量的管理上也遇到了一系列難題,最終因為能耗表現不佳再加上產能限制將大客戶高通拱手讓給了臺積電。
業內人士估計,三星電子目前 4 納米工藝良率可達到 60%,而臺積電同類型良率可達到 70~80%。專家們認為,三星電子良品率正在迅速提高,后續產品的量產也在加快。
隨著三星電子在先進工藝上不斷突破,在性能提高的前提下保證產能,預計可在 5nm 級以上的工藝量產方面與臺積電進一步進行競爭。