臺積電在近日舉行的 2024 年歐洲技術論壇上表示計劃未來將特殊制程產能擴大 50%，提升半導體供應鏈彈性。
除標準制程外，臺積電還可提供一系列的特殊制程 / 工藝代工服務，包括：
MEMS 傳感器 SoC 工藝、用于 CMOS 圖像傳感器的 CIS 技術、嵌入式非易失性存儲器（eNVM）、混合 / 射頻產品、模擬芯片、高壓半導體、BCD 功率 IC 和超低功耗（ULP）器件。
臺積電將興建低功耗4納米節點，稱為N4e，臺積電官方藍圖將N4e加入N4P和N4X行列。
尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應用使用，但可能專門給物聯網和其他需要消耗電力的設備。 通常應用都采成熟制程，因相對廉價設備用先進制程成本太高。 臺積電為需求做好規劃，因計劃要到2029年左右才能落實。
臺積電業務發展和海外營運副總經理張曉強強調，已開始建造N4e節能制程產線。 張曉強未透露產線位置，產線快速部署是臺積電第一次基本上跳過漫長審查過程，并開始進行。
臺積電負責國際業務的副聯席 COO 張曉強稱，臺積電近來重新開始為特殊制程專門建設新晶圓廠，未來四至五年將把特殊制程產能提升 50%，以擴大整體半導體代工網絡的規模。
據悉，臺積電目前在超低功耗領域最先進的制程是 N6e，作為一個 7nm 變體節點，N6e 支持 0.4~0.9V 工作電壓，預計年內開始生產。消息指臺積電希望將N4e電壓一路降至0.4V，但研討會并未提到性能或屬性詳細信息。
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