學習&新聞
消息稱英特爾決定擱置越南投資計劃
目前,越南擁有英特爾最大的芯片組裝、封裝和測試工廠。今年2月,有爆料稱英特爾計劃在越南新增價值10億美元的投資,以增強其在越南的芯片集群效應。但是,最新消息稱,英特爾已經擱置了在越南的新投資計劃。
2023-11-09
三星電子擬投資7000億-1萬億韓元擴大HBM產能
三星電子為了擴大HBM產能,已收購三星顯示(Samsung Display)天安廠區內部分建筑及設備,用于HBM生產。三星電子計劃在天安廠建立一條新封裝線,用于大規模生產HBM,公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等,預計追加投資7000億-1萬億韓元。
2023-11-08
ON
ON
2023-11-07
TI宣布位于猶他州的第二座12英寸晶圓廠正式動工
近日,德州儀器(TI)表示,其位于猶他州Lehi的第二座300毫米半導體晶圓廠破土動工??⒐ず螅琓I位于猶他州的兩座工廠每天將滿負荷生產數千萬個模擬和嵌入式處理芯片。
2023-11-07
ALLEGRO
ALLEGRO
2023-11-07
ATMEL
ATMEL
2023-11-07
LINEAR
LINEAR
2023-11-07
Infineon
Infineon
2023-11-07
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BROADCOM
2023-11-07
陽光正暖,不負時光, 一路向前,未來可期! 深圳奧米芯電子有限公司團建圓滿結束~
蔚藍的天空、晴朗的天氣,碧草青青、秋風習習,活潑可愛的同事,激情快樂的團隊,秋天的氣息撲面而來~深圳奧米芯電子有限公司,與你與未來同行!
2023-11-07
電磁式電壓互感器的工作原理和分類
電磁式電壓互感器通常用于電力系統中,用于測量高電壓輸電線路上的電壓。它們還可以用于監測電力系統中的電壓波形和幅值,以便及時發現電力系統中的故障和問題。在本文中,我們將詳細介紹電磁式電壓互感器的工作原理和分類。
2023-11-06
TDK推出首款 SMD 沖擊電流限制器
TDK 株式會社開發的J404是首款基于 PTC(正溫度系數)技術的表面貼裝浪涌電流限制器 (ICL)。該元件(訂貨號 B59404J0170A062)專為直流電壓高達 500 V 和 交流電壓高達350 V 的應用場景而設計,可用于限制電動汽車中的直流母線和充電設備等應用中的浪涌電流。
2023-11-04
安森美第三季度汽車業務收入達12億美元,同比增長33%
安森美公布其2023財年第三季度業績:第三季度收入為21.808億美元,公認會計原則(GAAP)和非GAAP毛利率為47.3%,GAAP營業利潤率和非GAAP營業利潤率分別為31.5%和32.6%,GAAP每股攤薄收益為1.29美元,非GAAP每股攤薄收益為1.39美元。其中,汽車業務收入創紀錄,同比增長33%至12億美元。
2023-11-03
三星電子Q3利潤下滑78% 存儲市場明年有望復蘇
近日,三星電子公布了2023年Q3財報,銷售額67.4047萬億韓元,同比減少12.21%;凈收入下降40%至5.5萬億韓元;營業利潤2.4336萬億韓元,同比減少了77.57%;當期凈利潤為5.8441萬億韓元,減少37.76%。
2023-11-02
力積電與SBI擬在日本宮城建廠 預計2026年投產
中國臺灣半導體代工巨頭“力晶積成電子制造”(PSMC)正在與日本SBI控股(SBI Holdings)磋商,計劃在宮城縣建設半導體工廠。一期工廠將投資約4000億日元,目標是2026年投產。
2023-11-01
SK海力士反對,西數和鎧俠合并計劃出現新變數
NAND 閃存芯片制造商鎧俠(Kioxia)與西部數據(WD)的合并計劃目前迎來新變數,SK海力士周四表示其不同意日本鎧俠公司和美國西部數據公司間的合并,日美存儲芯片企業間交易面臨更多不確定性。
2023-10-31
SK海力士HBM3E芯片供不應求 明年產能已被預訂一空
HBM是一種新型內存,通過垂直堆疊DRM芯片以縮短內存和處理器間通信的距離。簡單來說,HBM 能提供高帶寬,讓CPU 與GPU、內存與存儲之間的通信采用更高效率數據傳輸方式。
2023-10-30
三星正在與客戶就2nm、1.4nm工藝合作進行洽談
盡管三星電子在3納米代工業務上比臺積電更早量產,但由于接連失去了高通、NVIDIA等大客戶,已經落后于臺積電。
2023-10-27
安森美韓國工廠擴建完工 預計2025年產量達100萬片
碳化硅器件是電動汽車(EV)、能源基礎設施和大功率EV充電樁中進行功率轉換的關鍵器件。市場對這些產品的需求迅速增長,使得對SiC芯片的需求激增。
2023-10-26
東部高科加大SiC、GaN研發
為了支持未來業務增長,韓國晶圓代工廠東部高科正在加大在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體領域的研發力度。最近的投資旨在提高其8英寸晶圓的制造能力。
2023-10-25